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元件参数资料
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参数目录36780
> BSR30,115 TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
型号:
BSR30,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS PNP 80V 1000MA SOT89
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BSR30,115 PDF
特色产品
NXP - I2C Interface
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 100mA,5V
功率 - 最大
1.35W
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-243AA
供应商设备封装
SOT-89-3
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-5014-1
查看BSR30,115代理商
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